双稳态元件;
RTD室温下的峰谷电流比为5.2∶1,峰值电流密度为22.5kA/cm2.HEMT采用1μm栅长,阈值电压为-1V.设计电路称为单稳态-双稳态转换逻辑单元(MOBILE)。
来源:互联网摘选研究了它的I-V特性,测得的峰谷电流比为3.4.研究了由平面型共振隧穿二极管构成的单双稳态逻辑单元,实现了作为反相器的功能。
来源:互联网摘选与分立元件的磁光双稳系统相比较,该系统的双稳开关功率降低了2~3个数量级。
来源:互联网摘选
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