栅电阻
adopting gate resistance increased the rise time of edge, and adopting low output resistance of driver reduced the fall time.
通过低驱动内阻对栅极电容电荷的快速泄放提高脉冲后沿的下降速度。
the high frequency parasitic effect of mosfet is emphasis on, included gate resistance, substrate resistance, and parasitic capacitance.
重点讨论MOSFET的高频寄生参数,包括栅电阻、衬底电阻、寄生电容等。
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