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1、
三温区坩埚下降法生长Cd（1-x）Zn xTe单晶体
来源：互联网摘选 -
2、
In this paper, a method of Zn in the compound Hg _ ( 1-x ) Zn _ xTe by AAS is described.
本文提出了一种用原子吸收光度法测定半导体化合物Hg_ ( 1-x ) Zn_xTe中锌的组分数x值的方法.
来源：互联网摘选 -
3、
温差电性能测试分析表明,Bi_(2-x)Te_( 3+x )薄膜材料具有半导体特性,塞贝克系数不随温度变化.
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