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本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Cr的非晶硅基薄膜a-Si（1-x）Cr x的光吸收特性。
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Optical absorption of electron-beam evaporated a-si_ ( 1-x) co_x films
电子束蒸发的α-Si（1-x）Co x薄膜的光吸收特性
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利用US／VIS分光光度计测试了生成物的透过率，发现其透过率在紫外较ITO膜提高，测量了a－Si／Ti界面特性近似为欧姆接触。
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制备aSi∶H薄膜时，在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率。
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The laser crystallization of a-Si: H was analyzed by using TEM and Raman spectra.
本文报道了利用透射电子显微镜和Raman谱两种方法对a-Si：H激光结晶过程的研究。
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本设计的a-Si TFT中的驱动方式采用动态驱动的高压驱动，完成对TFT的快速充电，较理想的提高响应速度，响应速度可以达到12～16ms。
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But the deposition rate and quality of a-Si: H was primarily affected by preparation methods.
但是a-Si：H的沉积速率和品质很大程度上受到制备工艺的影响。
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采用铝诱导晶化技术对不同厚度的铝膜对a-Si薄膜晶化的影响进行了研究。
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对驱动IC输出引脚信号的实测以及彩色OLED屏的单色显示结果说明本文设计的驱动模块能驱动非晶硅薄膜晶体管有源OLED显示屏。
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the study on a-si tft active matrix organic light-emitting display driving circuits
a-Si TFT有源有机发光显示屏驱动电路探索
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至于门限电压会因为非晶矽薄膜的表面氧化程度不同而有不同偏向.
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The friction mechanism of Ti-Si-C-N coatings was controlled by a-Si 3 N 4 contents in coatings.
提出薄膜中 Si3N4 非晶体含量是影响 Ti -Si-C-N薄膜摩擦机制的控制因素.
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Boron diffusion in B-doped a-sic: h/ undoped a-si: h Heterojunctions
B掺杂a-SiC：H/本征a-Si：H异质结中的B扩散
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论文首先研究了采用PECVD制备高品质a-Si薄膜的工艺，通过气相掺杂有效地调整了薄膜电阻率；
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a-Si∶H薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜氢等离子体加热法晶化a-Si∶H薄膜
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Some Problems in Fabricating Integrated a-Si Solar Cell with Laser Scriber
激光刻蚀制备集成型a-Si太阳电池的一些问题
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