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The Door Calculation of Distance between Rectangular Track and Edge of Gate Groove
水工闸门矩形轨道门槽边距的计算
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仿真结果显示硅膜厚度对SOI槽栅MOS器件的阈值电压、亚阈值特性和饱和驱动能力都有较大影响，选择最佳的硅膜厚度是获得较好的器件特性的重要因素。
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中心锥形槽状光敏门极的200A，1200V光控双向晶闸管的研制
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