Low threshold current and high quantum efficiency ridge waveguide lasers
低阈值电流、高量子效率脊形波导激光器
来源:互联网摘选Stripe Semiconductor Lasers with Low& Threshold Current and Fundamental Transverse Mode
低阈值基横模条形半导体激光器
来源:互联网摘选GaAs/ GaAlAs Vertical Cavity Surface Emitting Lasers with Low Threshold Current
GaAs/GaAlAs低阈值垂直腔面发射激光器
来源:互联网摘选Low Threshold Current Density InGaAs/ GaAs/ AlGaAs Strained Quantum Well Lasers
低阈值电流密度INGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
来源:互联网摘选Consequence of Current Spreading Effect on Threshold Current of Oxide Stripe-Geometry DH Lasers
电流扩展效应对氧化物条形激光器阈值的影响
来源:互联网摘选GaAs基长波长量子点激光器增益和阈值电流密度的理论分析(英文)
来源:互联网摘选质量迁移层对InGaAsP BH半导体激光器阈值电流和模式行为的影响
来源:互联网摘选Fabrication of Low Threshold Current Constricted Double-Heterojunction Lasers
低阈值压缩双异质结构激光器的制造
来源:互联网摘选平面条形双异质结激光器的模式和阈值电流特性可以用两维波导模型来分析。
来源:互联网摘选特别是在微腔多量子阱结构中存在一个最佳阱数对应着阈值电流密度的最小值。
来源:互联网摘选研究了垂直层叠和p型掺杂对量子点激光器性能的改善,并讨论了获得极小阈值电流密度时的最佳量子点密度。
来源:互联网摘选InGaAs/GaAs应变量子阱激光器具有级低的阈值电流密度、较高的特性温度和较高的光学灾变损伤阈值,这使得激光器具有更高的输出功率和更长的寿命。
来源:互联网摘选实验表明,生长过程中采用高纯度的源材料,氮化硼的泻流盒以及生长系统中的低温泵等对降低器件的阈电流密度,改善激光器的光电性能起到重要作用。
来源:互联网摘选利用耦合波方程,推导出分布反馈激光器自混合干涉频率及增益变化的表达式。
来源:互联网摘选就可以精确求解的均匀展宽、单向环形激光器的情形,分析了频率位移关系,反转度的临界值和阈值,相变行为,以及带有外加讯号的双光子激光的特性。
来源:互联网摘选Low Threshold Single Transverse Mode Ridge Waveguide GaAs/ AlGaAs Quantum Well Lasers
低阈值基横模脊形波导GaAs/AlGaAs单量子阱激光器
来源:互联网摘选用准三能级系统速率方程对纵向泵浦TmYAG激光器的阈值、效率和激活介质最佳长度进行了计算和分析,讨论了温度对TmYAG激光器输出特性的影响。
来源:互联网摘选
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