将三端负阻器件与硅光电探测器相结合,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件&硅光电负阻器件。
来源:互联网摘选DB型 硅碳棒除在室温至1200? F ( 650? C ) 内存在负阻值.
来源:互联网摘选negative resistance effect in ( alga) as/ gaas dh laser at low temperature
(AlGa)As/GaAs DH激光器低温负阻的研究
来源:互联网摘选Influence of Surface Impurity Profiles on Characteristics of Negative Resistance of Transistor
表面杂质浓度分布对晶体管负阻特性的影响
来源:互联网摘选本文采用三点法测定了常温、低温下的U-I特性,发现常温、低温下纳米量级的硅/氧化硅多层膜具有类似负阻的特性。
来源:互联网摘选并采用寄生电阻预畸变与SC负电阻相结合的办法,设计的SC滤波器对寄生电容不灵敏,且电路简单。
来源:互联网摘选器件结构对有机薄膜器件负电阻性能的影响
来源:互联网摘选negative resistance characteristic of organic dye-doping polymer thin films devices
有机薄膜器件负电阻特性的影响因素
来源:互联网摘选负反馈放大器反馈深度与信号源内阻关系是一个易被误解的问题。
来源:互联网摘选隧穿二极管是一种很有前途的基于带隙工程的异质结构量子器件,其电流电压(I-V)曲线中所呈现的微分负阻特性能够用于开发多种不同的电路功能。
来源:互联网摘选指出,烧结温度是影响材料最低电阻率的主要因素,升温过程中的升温制度、降温方式分别对材料的正、负温度系数影响较大。
来源:互联网摘选该材料的主要特性是在居里温度Tc以下呈现较强的NTC效应,而在Tc以上则表现为PTC效应。
来源:互联网摘选主要结果如下:1.外源JA能够消除UV-B辐射胁迫产生的消极影响,提高小麦幼苗UV-B抗性。
来源:互联网摘选本文一改过去负反馈低噪声放大器的设计步骤,采用全新的方法&方框图法,确定了负反馈电路中晶体管参数,反馈深度、噪声系数、信号源内阻和工作频率之间的关系。
来源:互联网摘选Analysis of resistance of 803 gram negative bacilli from various sources to 21 antibiotics
803株革兰氏阴性杆菌的来源组成及耐药性分析
来源:互联网摘选不同极化电极电位下的电化学阻抗行为不同,EIS图谱观察到的由第一象限向第二象限转移且具有负电阻的容抗弧,标志着钝化的本质。
来源:互联网摘选实空间转移晶体管是一种新型N型负阻半导体器件,具有高频、高速、可控负阻等显著优点,可大大简化集成电路的复杂程度。
来源:互联网摘选实验结果显示小功率光源可以利用三端集成稳压器和限流电阻实现恒流驱动(100mA),大功率光源可以利用负反馈放大电路实现恒流驱动(1A)。
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