第Ⅱ阶段属于低速率成核阶段,同时薄膜与基片之间的错配应力得以进一步释放;
来源:互联网摘选结果表明,在成核的后期阶段:①最大位移速率单调加速增加;
来源:互联网摘选采用电化学工作站(CHI660A)监测p型硅电极在不同浓度HF溶液中的电流-电压特性,记录恒电流情况下硅电极的电压变化。这些曲线可从精确反映多孔硅形成的早期成核过程。
来源:互联网摘选
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