Phase-change random access memory ( PCM) records and erases data by utilizing the thermal effect of the pulse current to make SET or RESET operation in its recording layer with a reversible phase-change structure of giant differential resistance between two phases.
相变存储器是利用脉冲电流的热效应使其记录层发生具有巨大阻值差异的可逆结构相变来记录和擦除数据。
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