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1、
通过优化InGaP/GaAs异质结双极晶体管（HBT）的材料结构和器件结构，采用BE金属自对准、发射极镇流和电镀空气桥等工艺技术，研制了C波段InGaP/GaAs HBT功率管。
来源：互联网摘选
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