关于硅基发光的机制,人们曾提出很多模型,如量子(尺寸)限制效应模型、表面复合模型以及秦国刚等人提出的量子限制效应&表面复合模型等。
来源:互联网摘选EBIC测定GaP的少子扩散长度和表面复合速度
来源:互联网摘选钝化机理研究获得了表面复合对不同表面掺杂浓度晶体硅太阳电池性能的影响、表面和界面复合速度的理论表达式;
来源:互联网摘选晶粒度、厚度和背表面复合速度对MIS Schottky势垒多晶Si薄膜太阳电池性能影响的理论分析和计算
来源:互联网摘选我们又进一步研究了退火对少数载流子寿命和表面复合速率的影响,因为其对太阳能电池的最终效率影响很大。
来源:互联网摘选为了减少黑硅的表面态,需要对其进行有效钝化,在黑硅表面生长钝化层是同时减少单晶硅太阳电池光学和电学损失,提高电池效率的关键。
来源:互联网摘选在PcCu蒸发膜中吸收光谱与光导作用光谱之间形状关系依赖于在表面和本体内光生载流子复合速率的比例。
来源:互联网摘选实验结果表明:经PVB包覆后,PVB不仅减少了ZnO纳米粒子表面的悬键和非饱和键,而且也从空间上阻断了被表面俘获的空穴遂穿回粒子内部形成VO复合中心。
来源:互联网摘选本文首先在表面基模型的基础上,阐述了两种清晰的物理模型(表面基吸附模型和表表面复合中心模型)。
来源:互联网摘选本文报道了一种能同时确定半导体体内少子复合寿命和半导体表层空间电荷区少子产生寿命的实验技术。
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