SUPER-THIN LAYER ELECTROFOCUSING Research on TDDB of thin gate oxide
超薄平板等电聚焦电泳薄栅氧化层的TDDB研究
来源:互联网摘选当集成电路技术进入90纳米时代以来,传统单纯降低栅氧化层厚度的方法遇到了前所未有的挑战。
来源:互联网摘选采用N2O和NH3等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理。氮化H2-O2合成薄栅氧抗辐照特性
来源:互联网摘选因为这时候栅氧化层的厚度已经很薄(20A),栅极漏电流中的隧道穿透机制已经起到主导作用。
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