million electron volts 百万电子伏;

利用9Be(d,n)反应在北京大学4.5MV静电加速器上产生低于7MeV能区的快中子,采用胶片成像法进行了快中子照相的初步实验。
来源:互联网摘选用活化法测量了15MeV中子引起~(197)Au(n,2n)反应的同质异能素截面比。
来源:互联网摘选长中子计数器和液体闪烁计数器的计数均比本底高15倍,液体闪烁计数器同时记录了2.45MeV中子的反冲质子能谱。
来源:互联网摘选Calculation and Analysis of~ ( 58) Ni ( p, x) Reaction in Energy Region E_p ≤ 200 MeV
E p≤200MeV能区p+~(58)Ni反应的计算与分析
来源:互联网摘选The relative neutron sensitivity of the dosimeter for 14 Mev neutron ra ( ? ) from 0.024 to 0.027.
它对14兆电子伏中子的相对中子灵敏度 Ku 在0.024—0.027范围内.
来源:互联网摘选The physical design and beam test for the BPL 35.5 MeV beam transport system are desc-ribed.
本文阐述了北京质子直线加速器35.5MeV应用束流输运系统的物理设计和调试结果.
来源:互联网摘选用外推电离室测量1.5MeV电子束在硅中的剂量率分布
来源:互联网摘选按照NRC-RG1.99 ( Rev2 ) 规定给出了快中子 ( E>1Mev ) 辐照损伤计算结果.
来源:互联网摘选利用9MeV电子加速器产生的光中子进行中子元素分析的方法初探
来源:互联网摘选Resistivity and damage annealing of high energy ( MeV) oxygen ion implanted semi-insulating GaAs
高能(MeV级)氧离子注入本征型GaAs的电性能及注入损伤退火行为的研究
来源:互联网摘选在磁暴恢复相期间,低的太阳风密度和强的亚暴是导致地球同步轨道能量大于2MeV电子通量的达到极高值的两个关键参数。
来源:互联网摘选用6MeV的氟离子对淀积在聚四氟乙烯基底上的In、Sn、Al、Cu、Pd和Ni等金属薄膜进行了一定剂量范围的辐照,测定了发生增强附着效应的阈剂量值。
来源:互联网摘选对150MeV质子入射钨、铅和铅铋合金固态金属靶的性质进行了研究。
来源:互联网摘选600MeV~(18)O+~(nat)Pb(厚靶)系统生成Hg同位素独立产额测量(Ⅰ)实验和技术
来源:互联网摘选与非相对论近似的结果比较,能级位置的修正△E1最大可达几十个MeV,湮灭宽度的修正△E2最大可达十几个MeV。
来源:互联网摘选Study on the shielding material of 14 MeV neutrons collimation based on MCNP
基于MCNP程序模拟的14MeV中子准直屏蔽材料的研究
来源:互联网摘选用6MeV F离子束辐照了淀积在Si单晶基底上的Sb、Ag、Cu、Pd和Ni金属薄膜,并用胶带法对不同辐照剂量的各点进行了增强附着阈剂量的测量。
来源:互联网摘选用康普顿反冲电子方法测量了14MeV的D T中子穿透系列铁球的伴生γ射线泄漏能谱,能谱的能量范围为0.55MeV。
来源:互联网摘选当束稳定输运时, 可获得束能 10.4MeV,束流强度2.6kA, 束半高宽约100ns的强流脉冲电子束.
来源:互联网摘选因为核物理所研究的能区一般在几百个兆电子伏特,所以当能区很宽时(包括中、低能区和高能区),核物理所作的研究就要受到限制,结果也不尽如人意。
来源:互联网摘选Correction factors of the BPS Te-Te spherical cavity ionzation chamber in 15 MeV neutron field
BPS型TE-TE球形空腔电离室在15MeV中子场测量的修正因子
来源:互联网摘选Applications of 10 MeV water calorimeter for measuring electron beam doses
10MeV水量热计在电子束剂量测量中的应用
来源:互联网摘选对温度梯度法(TGT)生长的钛宝石晶体进行中子辐照,中子能量为1.5MeV,剂量为4.32×1016neutrons/cm2。
来源:互联网摘选本文介绍应用在4MeV电子直线探伤加速器现场监测剂量强度的剂量仪的结构、原理和特点。
来源:互联网摘选Isolated double conducting layers formed by MeV si, o implantation in SI-GaAs
MeV硅、氧离子注入SI-GaAs形成相互隔离的双导电层
来源:互联网摘选
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