复合寿命
本文报道了一种能同时确定半导体体内少子复合寿命和半导体表层空间电荷区少子产生寿命的实验技术。
来源:互联网摘选Interstitial Si atoms filling vacancies or recombination centers increases lifetime.
另外,间隙硅原子填充了空位或复合中心从而导致寿命提高.
来源:网络文摘精选
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