shallow energy level
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浅能级
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1、
而由于浅能级杂质的陷阱效应，低温下基区和发射区渡越时间变长，截止频率下降。
来源：互联网摘选 -
2、
Trapping characteristics of the shallow impurity energy level in silicon at low temperatures
硅浅杂质能级的低温陷阱效应
来源：互联网摘选
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