固相外延
The study of solid phase epitaxy in silicon by the time-resolved reflectivity technique
用时间分辨反射率技术研究硅的固相外延
Structure and properties of InGaP/ GaAs epilayers grown by solid-source molecular beam epitaxy with a GaP decomposition source
分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能
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