衬底点阵
In order to release the stresses originated from the lattice mismatch and reduce the defect densities, sapphire substrate surfaces are preprocessed by H-plasma cleaning, N-plasma nitriding and the low temperature buffer growth.
为了释放因晶格失配产生的应力,以降低在GaN外延膜中引起的缺陷密度,我们对蓝宝石衬底采用了氢等离子体清洗、氮等离子体氮化以及低温生长缓冲层的方法。
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