区域熔化
The LV zone is due to interstitial free volatiles and incipient melting.
低速层是由于空隙自由挥发和初期的熔融作用造成的.
来源:词典精选例句研究了区熔再结晶(ZMR)设备及其工艺特点。
来源:互联网摘选结果表明,计算所得熔融段起、末端的螺槽深度、螺纹顶宽度和螺纹升角均位于或接近文献中所建议的最佳取值范围
来源:互联网摘选提出了一种简化的区熔再结晶方法,利用这种方法在非硅衬底获得了晶粒尺寸达到毫米级、致密的籽晶层。
来源:互联网摘选研究了区熔再结晶 ( ZMR ) 设备及其工艺特点.
来源:互联网摘选采用区熔定向凝固的方法,制备〈110〉取向Tb-Dy-Fe超磁致伸缩合金晶体。
来源:互联网摘选为了改善硅带衬底的质量,引入区熔再结晶的方法,期望将其表面平整度及结晶质量进一步提高,进而改善以其为衬底的多晶硅薄膜质量。
来源:互联网摘选
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