GaN基量子阱激光器极化相关增益饱和特性的理论计算
互联网摘选 2026-07-14 01:09:36
calculation and analyses of cross-saturation characteristics of gan quantum well lasers
GaN基量子阱激光器交叉饱和特性的计算与分析
来源:互联网摘选mechanism of optical polarization dephasing in bulk gaas and multiple quantum wells
GaAs体材料及其量子阱的光学极化退相特性
来源:互联网摘选photoluminescence spectra from sige/ si strained layer quantum well structures
SiGe/Si量子阱结构材料的激子发光谱
来源:互联网摘选n型AlAs/GaAlAs量子阱子带间正入射吸收跃迁振子强度
来源:互联网摘选退火对AlGaInP/GaInP多量子阱LED外延片性能的影响
来源:互联网摘选x-ray topography and photoluminescence properties of gaas/ algaas quantum well materials
GaAs/AlGaAs量子阱材料的X射线形貌及其发光性能
来源:互联网摘选improving the quantum well properties with n-type ingan/ gan superlattices layer
引入n型InGaN/GaN超晶格层提高量子阱特性研究
来源:互联网摘选相比普通SOA,多电极量子阱SOA在增益特性和动态特性方面有望得到改善,它在光纤通信领域有着极为广泛的应用前景。
来源:互联网摘选intersubband and intraband transitions of self-assembled quantum wires for the infrared detectors
可用于红外探测器的自组织量子线及其带间和子带间光学跃迁
来源:互联网摘选shot noise in diluted magnetic semiconductor/ semiconductor quantum wires
稀磁半导体/半导体量子线中的散粒噪声
来源:互联网摘选effect of anodization on photoluminescence of gaas/ algaas quantum wires
阳极氧化对GaAs/AlGaAs量子线荧光的影响
来源:互联网摘选分别采用LLP变分方法和微扰方法研究了圆柱形自由量子线的极化子效应,在计算中考虑了类体纵光学声子模及表面声子模的贡献。
来源:互联网摘选分析还发现,对于量子线、量子点等强受限体系,微扰方法得到的结果较LLP变分方法的结果合理。
来源:互联网摘选研究耦合量子线-量子点体系的电子输运过程中的Fano效应,这是贯穿于本论文工作始终的一条主线。
来源:互联网摘选在考虑电子与LO声子相互作用和加电场的情况下,计算了抛物量子线中强耦合极化子的基态能量。
来源:互联网摘选
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