InGaAsP/ InP Buried Crescent Laser Emitting at 1.3 μ m with Low Threshold Current
1.3微米低阈值掩埋新月型InP-InGaAsP激光器
来源:互联网摘选Fabrication of Low Threshold Current Constricted Double-Heterojunction Lasers
低阈值压缩双异质结构激光器的制造
来源:互联网摘选理论分析显示,用一个相对较低的阈值电流密度(832A/cm2)就能在室温下产生50/cm的阈值光学增益。
来源:互联网摘选InGaAs/GaAs应变量子阱激光器具有级低的阈值电流密度、较高的特性温度和较高的光学灾变损伤阈值,这使得激光器具有更高的输出功率和更长的寿命。
来源:互联网摘选分析显示,用一个相对较低的阈值电流密度(832A/cm2)能够实现室温下产生50/cm的阈值光学增益,而且这种结构的特征温度高于136K。
来源:互联网摘选ATMP has excellent chelation, low threshold inhibition and lattice distortion ability.
ATMP具有良好的螯合 、 低限抑制及晶格畸变作用.
来源:互联网摘选研究的深入呼唤高灵敏、低阈能、宽视场、全日制的地面观测手段。
来源:互联网摘选Low threshold current and high quantum efficiency ridge waveguide lasers
低阈值电流、高量子效率脊形波导激光器
来源:互联网摘选针对低阈值半导体量子结构激光器(简称量子结构激光器),包括量子阱、量子线和量子点结构,给出了一个完整简便的方法用以优化设计最低阈值条件所需要的有源区结构。
来源:互联网摘选针对高速低阈值半导体激光器提出一种模型参数的直接确定方法。
来源:互联网摘选碳纳米管(CNTs)具有低的阈值电场和高的发射电流密度,是一种性能优良的冷阴极材料,在平面显示领域具有潜在的应用价值。
来源:互联网摘选碳纳米管是一种性能优良的场发射冷阴极材料,具有低的阈值电场和高的发射电流密度,在平板显示领域具有广阔的应用前景。
来源:互联网摘选GaAs/ GaAlAs Vertical Cavity Surface Emitting Lasers with Low Threshold Current
GaAs/GaAlAs低阈值垂直腔面发射激光器
来源:互联网摘选Low Threshold Current InGaAs-GaAs Strained Layer Quantum Well Laser
低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器
来源:互联网摘选在非线性效应中,由于受激布里渊散射具有低阈值的特点,使得其在光纤中最容易产生。
来源:互联网摘选Low Threshold Single Transverse Mode Ridge Waveguide GaAs/ AlGaAs Quantum Well Lasers
低阈值基横模脊形波导GaAs/AlGaAs单量子阱激光器
来源:互联网摘选Low Threshold Current Density InGaAs/ GaAs/ AlGaAs Strained Quantum Well Lasers
低阈值电流密度INGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
来源:互联网摘选Low Threshold Current High Output Power Fundamental Transverse Mode 1.3 μ m InGaAsP/ InP BH Laser
1.3微米低阈值大功率基横模BH InGaAsP/InP激光器
来源:互联网摘选
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