Reactive ion etching of polysilicon using SF6+ Ar reactive gas is investigated.
本文对以SF6+A r为反应气体的反应离子刻蚀(RIE)多晶硅工艺进行了研究。
来源:互联网摘选等离子与反应离子刻蚀终点的在线监测&光学反射法
来源:互联网摘选Effect of Gas Species on the Depth Reduction in Silicon Deep-Submicron Trench Reactive Ion Etching
在硅深-亚微米沟道反应离子刻蚀中气体成分对深度减小的影响
来源:互联网摘选Lithography and Reactive Ion Etching of Silicon-Based Photon Crystal Slab
硅基光子晶体板的光刻和反应离子刻蚀
来源:互联网摘选软X射线聚焦波带片的研制包括光路设计、膜系设计、衬底选择、薄膜制备、亚微米光刻、X射线光刻、反应离子刻蚀、离子束刻蚀、电镀和化学腐蚀等多种微细加工技术。
来源:互联网摘选Reactive Ion Etching of SiO_2 in Planar Lightwave Circuit Fabrication
SiO2平面光波导工艺中的反应离子刻蚀研究
来源:互联网摘选提出一种微透镜阵列复制的新方法反应离子束蚀刻法(RIBE)。
来源:互联网摘选
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