研究了垂直层叠和p型掺杂对量子点激光器性能的改善,并讨论了获得极小阈值电流密度时的最佳量子点密度。
来源:互联网摘选大功率半导体激光器的输出功率受温度变化的影响很大,微小的温度变化就会导致输出功率很大的波动,而且波长、阈值电流和使用寿命也会受到影响。
来源:互联网摘选采用宽波导结构可以得到器件的最大输出功率为9.4W,发散角为32°,阈值电流密度为239A/cm2。
来源:互联网摘选InGaAs/GaAs应变量子阱激光器具有级低的阈值电流密度、较高的特性温度和较高的光学灾变损伤阈值,这使得激光器具有更高的输出功率和更长的寿命。
来源:互联网摘选实验表明,生长过程中采用高纯度的源材料,氮化硼的泻流盒以及生长系统中的低温泵等对降低器件的阈电流密度,改善激光器的光电性能起到重要作用。
来源:互联网摘选选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系。
来源:互联网摘选分析显示,用一个相对较低的阈值电流密度(832A/cm2)能够实现室温下产生50/cm的阈值光学增益,而且这种结构的特征温度高于136K。
来源:互联网摘选根据计算结果可知:当波导层和限制层铝组分为0.4和0.5时,采用窄波导结构可以获得器件的最大输出功率为11.2W,发散角为19°,阈值电流密度为266A/cm2;
来源:互联网摘选通过对激光的电噪声的测量可以监测激光器的诸多参数和特性,如弛豫频率,谱线宽度,阈值电流,模式跳变及输出光功率是否稳定等。
来源:互联网摘选通过对半导体激光器(LD)的损耗和阈值电流特性的分析,引入等效反射系数的概念,根据多光束干涉的原理,导出了在外腔反馈作用下LD的阈值电流公式。
来源:互联网摘选该器件具有增强型脊型波导结构,在80K时阈值电流为0.5A,相应的阈值电流密度为5KA/cm2。
来源:互联网摘选当两钉扎层磁矩方向反平行排列并且都垂直膜面的时候,实现磁矩进动态所需的电流最小。
来源:互联网摘选比较各组在刺激域电流、获得终点时间、合作患儿运动阻滞起效时间及神经阻滞效果的差异。
来源:互联网摘选室温下的最低阈电流密度是2000A/cm~2.平均归一化阈电流密度是5000A/cm~2μm。
来源:互联网摘选在此基础上设计了具有阈值控制功能的电流型CMOS三值全加器。
来源:互联网摘选多阈值CMOS技术是一种降低电路漏电流功耗的有效方法.它通过接入高阈值MOS管来抑制低阈值模块的漏电流。
来源:互联网摘选我国现有整体人力资本已达到进行有效技术模仿的临界值,技术模仿对我国经济的贡献已凸显出来,但同时也存在区域差异;
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